Twous Eksperyans Olografi LCP-7 – Modèl debaz
Espesifikasyon
Atik | Espesifikasyon |
Semiconductor lazè | Longèdonn Sant: 650 nm |
Lajè liy: <0.2 nm | |
Pouvwa > 35 mW | |
Panno ekspoze ak revèy | 0.1 ~ 999.9 s |
Mòd: B-Gate, T-Gate, Distribisyon, ak Louvri | |
Operasyon: Manyèl kontwòl | |
Linèt sekirite lazè | OD>2 soti nan 632 nm a 690 nm |
Plak olografik | Wouj fotopolymère sansib |
Lis Pati
Deskripsyon | Kantite |
Semiconductor lazè | 1 |
Ekspozisyon vole ak revèy | 1 |
Baz inivèsèl (LMP-04) | 6 |
Detantè reglabl de aks (LMP-07) | 1 |
Detantè lantiy (LMP-08) | 1 |
Detantè plak A (LMP-12) | 1 |
Detantè plak B (LMP-12B) | 1 |
Detantè reglabl de aks (LMP-19) | 1 |
Ekstansyon gwo bout bwa | 1 |
Iwa avyon | 1 |
Ti objè | 1 |
Wouj plak polymère sansib | 1 bwat (12 fèy, 90 mm x 240 mm pou chak fèy) |
Remak: yon tab optik asye pur oswa breadboard (600 mm x 300 mm) ak amortissement optimal nesesè pou itilize ak twous sa a.
Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou